NSVIMD10AMT1G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NSVIMD10AMT1G |
| Teilstatus |
Active |
| Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
| Resistor - Base (R1) |
13 kOhms, 130 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) |
10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
| Frequenz - Übergang |
- |
| Leistung max |
285mW |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket |
SC-74R |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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