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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › NSVDTC113EM3T5G
NSVDTC113EM3T5G

NSVDTC113EM3T5G - ON Semiconductor

品番
NSVDTC113EM3T5G
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NSVDTC113EM3T5G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
630324 pcs
参考価格
USD 0.0432/pcs
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NSVDTC113EM3T5G 詳細な説明

品番 NSVDTC113EM3T5G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 1k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 1k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 3 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 250mV @ 5mA, 10mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 260mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-723
サプライヤデバイスパッケージ SOT-723
重量 -
原産国 -

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