品番 | NSVDTA123JM3T5G |
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部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 100mA |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce飽和(最大)@Ib、Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
周波数 - 遷移 | - |
電力 - 最大 | 260mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | SOT-723 |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-723 |
重量 | - |
原産国 | - |