| Artikelnummer | NSVDTA123JM3T5G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 260mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-723 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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