| 品番 | NSBC123EF3T5G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50V |
| 抵抗器 - ベース（R1）（オーム） | 2.2k |
| 抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） | 2.2k |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 電力 - 最大 | 254mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-1123 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-1123 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 詳細 |
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NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 詳細 |
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NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 詳細 |
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NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN | 詳細 |
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NSBC113EPDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | 詳細 |
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NSBC113EPDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | 詳細 |
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NSBC114EDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963 | 詳細 |
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NSBC114EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 詳細 |
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NSBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 詳細 |
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NSBC114EDXV6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 詳細 |
