NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G - ON Semiconductor

Número de pieza
NSBC123EF3T5G
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
TRANS PREBIAS DUAL NPN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
275716 pcs
Precio de referencia
USD 0.0977/pcs
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NSBC123EF3T5G Descripción detallada

Número de pieza NSBC123EF3T5G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 2.2k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 254mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-1123
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-1123
Peso -
País de origen -

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