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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › NGTD13T65F2WP
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP - ON Semiconductor

品番
NGTD13T65F2WP
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NGTD13T65F2WP PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
15296 pcs
参考価格
USD 1.659/pcs
私達の価格
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NGTD13T65F2WP 詳細な説明

品番 NGTD13T65F2WP
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） -
電流 - コレクタパルス（Icm） 120A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.2V @ 15V, 30A
電力 - 最大 -
スイッチングエネルギー -
入力方式 Standard
ゲートチャージ -
Td（オン/オフ）@ 25℃ -
テスト条件 -
逆回復時間（trr） -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die
重量 -
原産国 -

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