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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › NGTD13T65F2WP
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTD13T65F2WP
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NGTD13T65F2WP Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
16314 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.659/pcs
Notre prix
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NGTD13T65F2WP Description détaillée

Numéro d'article NGTD13T65F2WP
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Puissance - Max -
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die
Poids -
Pays d'origine -

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