| 品番 | NCD5702DR2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| チャネルタイプ | Independent |
| ドライバ数 | 1 |
| ゲートタイプ | IGBT |
| 電圧 - 供給 | 5.5V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.75V, 4.3V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 7.8A, 6.8A |
| 入力方式 | Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | - |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 9.2ns, 7.9ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 16-SOIC |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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NCD57000DWR2G | ON Semiconductor | GALVANIC ISOLATED HIGH CU | 詳細 |
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NCD57001DWR2G | ON Semiconductor | GALVANIC ISOLATED HIGH CU | 詳細 |
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