| Numero di parte | NCD5702DR2G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 1 |
| Gate Type | IGBT |
| Tensione - Fornitura | 5.5V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.75V, 4.3V |
| Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) | 7.8A, 6.8A |
| Tipo di input | Inverting |
| Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 9.2ns, 7.9ns |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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NCD57000DWR2G | ON Semiconductor | GALVANIC ISOLATED HIGH CU | Dettagli |
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NCD57001DWR2G | ON Semiconductor | GALVANIC ISOLATED HIGH CU | Dettagli |
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NCD5700DR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | Dettagli |
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NCD5701ADR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | Dettagli |
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NCD5701BDR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | Dettagli |
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NCD5701CDR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | Dettagli |
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NCD5702DR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5702. HI | Dettagli |
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NCD5703ADR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5703A. H | Dettagli |
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NCD5703BDR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5703B. H | Dettagli |
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NCD5703CDR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5703C. H | Dettagli |
