| 品番 | IRFW630BTM-FP001 |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 29nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.13W (Ta), 72W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
IRFW630BTM-FP001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | 詳細 |
|
IRFW630BTM_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | 詳細 |
