IRFW630BTM-FP001 - ON Semiconductor

Número de pieza: IRFW630BTM-FP001
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 309435 pcs
Precio de referencia: USD 0.5321/pcs
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Número de pieza	IRFW630BTM-FP001
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.13W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	IRFW630BTM-FP001	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	Detalles
	IRFW630BTM_FP001	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	Detalles