HUF76633S3ST-F085 - ON Semiconductor

品番	HUF76633S3ST-F085
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	35 mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	63nC @ 10V
Vgs（最大）	±16V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1810pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	183W (Tj)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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