HUF76633S3ST-F085

HUF76633S3ST-F085 - ON Semiconductor

Número de pieza
HUF76633S3ST-F085
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
42160 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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HUF76633S3ST-F085 Descripción detallada

Número de pieza HUF76633S3ST-F085
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 183W (Tj)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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