品番 | FQB47P06TM-AM002 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 47A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 26 mOhm @ 23.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±25V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3600pF @ 25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
重量 | - |
原産国 | - |