FQB47P06TM-AM002 - ON Semiconductor

Artikelnummer	FQB47P06TM-AM002
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.75W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FQB47P06	FSC	FQB47P06 FSC TO-263 New Original Stocks	Einzelheiten
FQB47P06TM-AM002	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK	Einzelheiten
FQB47P06TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK	Einzelheiten