PMWD19UN,518

PMWD19UN,518 - NXP USA Inc.

品番
PMWD19UN,518
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3549 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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PMWD19UN,518 詳細な説明

品番 PMWD19UN,518
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.6A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 700mV @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 28nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1478pF @ 10V
電力 - 最大 2.3W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
重量 -
原産国 -

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