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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › PDTB113ES,126
PDTB113ES,126

PDTB113ES,126 - NXP USA Inc.

品番
PDTB113ES,126
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
PDTB113ES,126 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
PDTB113ES,126.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4345 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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PDTB113ES,126 詳細な説明

品番 PDTB113ES,126
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 500mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 1k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 1k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 500mW
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
重量 -
原産国 -

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