| 品番 | MRF6V2150NBR1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| トランジスタタイプ | LDMOS |
| 周波数 | 220MHz |
| 利得 | 25dB |
| 電圧 - テスト | 50V |
| 電流定格 | - |
| ノイズフィギュア | - |
| 電流 - テスト | 450mA |
| 電力出力 | 150W |
| 電圧 - 定格 | 110V |
| パッケージ/ケース | TO-272BB |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-272 WB-4 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MRF6V10010NR4 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 | 詳細 |
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MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | 詳細 |
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MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | 詳細 |
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MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 詳細 |
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MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 詳細 |
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MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | 詳細 |
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MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | 詳細 |
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MRF6V12500GSR5 | NXP USA Inc. | PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE | 詳細 |
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MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | 詳細 |
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MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | 詳細 |
