| Numero di parte | MRF6V2150NBR1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Transistor Type | LDMOS |
| Frequenza | 220MHz |
| Guadagno | 25dB |
| Voltaggio - Test | 50V |
| Valutazione attuale | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 450mA |
| Potenza - Uscita | 150W |
| Tensione - Rated | 110V |
| Pacchetto / caso | TO-272BB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-272 WB-4 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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MRF6V10010NR4 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 | Dettagli |
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MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | Dettagli |
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MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | Dettagli |
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MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | Dettagli |
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MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | Dettagli |
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MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Dettagli |
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MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Dettagli |
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MRF6V12500GSR5 | NXP USA Inc. | PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE | Dettagli |
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MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | Dettagli |
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MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | Dettagli |
