PSMN6R3-120ESQ

PSMN6R3-120ESQ - Nexperia USA Inc.

品番
PSMN6R3-120ESQ
メーカー
Nexperia USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1200 pcs
参考価格
USD 2.65/pcs
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PSMN6R3-120ESQ 詳細な説明

品番 PSMN6R3-120ESQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 120V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 207.1nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11384pF @ 60V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 405W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6.7 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 -
原産国 -

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