品番 | PSMN1R6-30MLHX |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 160A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.2V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2.369nF @ 15V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 106W (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK33 |
パッケージ/ケース | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
重量 | - |
原産国 | - |