PSMN1R6-30MLHX Descripción detallada
Número de pieza |
PSMN1R6-30MLHX |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
160A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
41nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
2.369nF @ 15V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
106W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
LFPAK33 |
Paquete / caja |
SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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