PMZB950UPELYL - Nexperia USA Inc.

品番	PMZB950UPELYL
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	950mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	43pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	360mW (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	DFN1006B-3
パッケージ/ケース	3-XFDFN
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	PMZB950UPELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B	詳細
	PMZB950UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3QFN	詳細