PMZB950UPELYL - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PMZB950UPELYL
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1006B-3
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	PMZB950UPELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B	Dettagli
	PMZB950UPEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3QFN	Dettagli