PMPB95ENEA/FX - Nexperia USA Inc.

品番	PMPB95ENEA/FX
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	80V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	105 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.7V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	14.9nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	504pF @ 40V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.6W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	6-DFN2020MD (2x2)
パッケージ/ケース	6-UDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	PMPB95ENEA/FX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD	詳細
	PMPB95ENEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220	詳細