PMPB95ENEA/FX - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PMPB95ENEA/FX
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	504pF @ 40V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-DFN2020MD (2x2)
Paket / Fall	6-UDFN Exposed Pad
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	PMPB95ENEA/FX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD	Einzelheiten
	PMPB95ENEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220	Einzelheiten