品番 | PMN55ENEX |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.7V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 646pF @ 30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
パッケージ/ケース | SC-74, SOT-457 |
重量 | - |
原産国 | - |