PMN55ENEX detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
PMN55ENEX |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
60 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
19nC @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
646pF @ 30V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
560mW (Ta), 6.25mW (Tc) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
6-TSOP |
| Paket / Fall |
SC-74, SOT-457 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR PMN55ENEX
