| 品番 | PMCPB5530X,115 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.3A, 3.4A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 34 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 900mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 21.7nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 490mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN2020-6 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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PMCPB5530X,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON | 詳細 |
