PMCPB5530X,115

PMCPB5530X,115 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PMCPB5530X,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data
New
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PMCPB5530X,115 Descrizione dettagliata

Numero di parte PMCPB5530X,115
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Potenza - Max 490mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020-6
Peso -
Paese d'origine -

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