品番 | PHKD6N02LT,518 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.9A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 20 mOhm @ 3A, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 15.3nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 950pF @ 10V |
電力 - 最大 | 4.17W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
重量 | - |
原産国 | - |