PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PHKD6N02LT,518
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
PHKD6N02LT,518.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
73667 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3565/pcs
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PHKD6N02LT,518 Description détaillée

Numéro d'article PHKD6N02LT,518
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 10V
Puissance - Max 4.17W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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