品番 | PBSS5130QAZ |
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部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | PNP |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 1A |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 30V |
Vce飽和(最大)@Ib、Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 130 @ 1A, 2V |
電力 - 最大 | 325mW |
周波数 - 遷移 | 170MHz |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010D-3 |
重量 | - |
原産国 | - |