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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples › PBSS5130QAZ
PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PBSS5130QAZ
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PBSS5130QAZ Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
PBSS5130QAZ.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1026/pcs
Notre prix
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PBSS5130QAZ Description détaillée

Numéro d'article PBSS5130QAZ
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 1A, 2V
Puissance - Max 325mW
Fréquence - Transition 170MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-XDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN1010D-3
Poids -
Pays d'origine -

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