| 品番 | APTM100H18FG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 43A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 210 mOhm @ 21.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 372nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10400pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 780W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SP6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP6 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APTM08TAM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | 詳細 |
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APTM08TDUM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | 詳細 |
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APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W | 詳細 |
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APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | 詳細 |
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APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | 詳細 |
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APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | 詳細 |
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APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | 詳細 |
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APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | 詳細 |
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APTM100A23STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | 詳細 |
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APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | 詳細 |
