| 品番 | APTM08TAM04PG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 75V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 153nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4530pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 138W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SP6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP6-P |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APTM08TAM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | 詳細 |
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APTM08TDUM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | 詳細 |
