APT33GF120B2RDQ2G

APT33GF120B2RDQ2G - Microsemi Corporation

品番
APT33GF120B2RDQ2G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
25 pcs
参考価格
USD 19.3/pcs
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APT33GF120B2RDQ2G 詳細な説明

品番 APT33GF120B2RDQ2G
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 64A
電流 - コレクタパルス(Icm) 75A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3V @ 15V, 25A
電力 - 最大 357W
スイッチングエネルギー 1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 170nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 14ns/185ns
テスト条件 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3 Variant
サプライヤデバイスパッケージ -
重量 -
原産国 -

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