| 品番 | APT20GT60BRDQ1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 43A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 80A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| 電力 - 最大 | 174W |
| スイッチングエネルギー | 215µJ (on), 245µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 100nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 8ns/80ns |
| テスト条件 | 400V, 20A, 5 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | 詳細 |
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APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | 詳細 |
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APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | 詳細 |
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