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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル › 2N5416UA/TR
2N5416UA/TR

2N5416UA/TR - Microsemi Corporation

品番
2N5416UA/TR
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
POWER BJT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2N5416UA/TR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
16382 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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2N5416UA/TR 詳細な説明

品番 2N5416UA/TR
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 1A
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 300V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 2V @ 5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 50µA
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 30 @ 50mA, 10V
電力 - 最大 -
周波数 - 遷移 -
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-SMD, No Lead
サプライヤデバイスパッケージ UA
重量 -
原産国 -

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