2N5416UA/TR

2N5416UA/TR - Microsemi Corporation

Numéro d'article
2N5416UA/TR
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER BJT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
2N5416UA/TR Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
16382 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour 2N5416UA/TR

2N5416UA/TR Description détaillée

Numéro d'article 2N5416UA/TR
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Puissance - Max -
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur UA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR 2N5416UA/TR