| 品番 | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリー容量 | 16Gb (512M x 32) |
| クロック周波数 | 1866MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | - |
| 電圧 - 供給 | 1.1V |
| 動作温度 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MT53B512M16D1Z11MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | 詳細 |
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MT53B512M16D1Z11MWC2 MS | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | 詳細 |
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MT53B512M16D1Z11NWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | 詳細 |
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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA | 詳細 |
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MT53B512M32D2DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B512M32D2DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B512M32D2DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | 詳細 |
