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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
26002 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 16Gb (512M x 32)
Taktfrequenz 1866MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.1V
Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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