| 品番 | MT49H32M18CSJ-25E:B TR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | DRAM |
| メモリー容量 | 576Mb (32M x 18) |
| クロック周波数 | 400MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | 15ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 144-TFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 144-FBGA (18.5x11) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
MT49H32M18BM-18:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18BM-18:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18BM-25:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18BM-25:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18BM-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18BM-25E:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18BM-33:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 300MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18BM-33:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 300MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18CBM-18:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 詳細 |
|
MT49H32M18CBM-18:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 詳細 |
