MT49H32M18CSJ-25E:B TR

MT49H32M18CSJ-25E:B TR - Micron Technology Inc.

Numero di parte
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Memoria
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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MT49H32M18CSJ-25E:B TR Descrizione dettagliata

Numero di parte MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia DRAM
Dimensione della memoria 576Mb (32M x 18)
Frequenza di clock 400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso 15ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7 V ~ 1.9 V
temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 144-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 144-FBGA (18.5x11)
Peso -
Paese d'origine -

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