| 品番 | MT29E2T08CUHBBM4-3:B |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND |
| メモリー容量 | 2Tb (256G x 8) |
| クロック周波数 | 333MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.5V ~ 3.6V |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA | 詳細 |
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MT29E2T08CTCCBJ7-6:C | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ | 詳細 |
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MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA | 詳細 |
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ | 詳細 |
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA | 詳細 |
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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA | 詳細 |
