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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › IXXH30N65B4D1
IXXH30N65B4D1

IXXH30N65B4D1 - IXYS

品番
IXXH30N65B4D1
メーカー
IXYS
簡単な説明
IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXXH30N65B4D1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
31677 pcs
参考価格
USD 5.19767/pcs
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IXXH30N65B4D1 詳細な説明

品番 IXXH30N65B4D1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 70A
電流 - コレクタパルス（Icm） 146A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 30A
電力 - 最大 230W
スイッチングエネルギー 1.04mJ (on), 730µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 52nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 20ns/150ns
テスト条件 400V, 30A, 15 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） 65ns
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
重量 -
原産国 -

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