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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › IXXH30N65B4D1
IXXH30N65B4D1

IXXH30N65B4D1 - IXYS

Numéro d'article
IXXH30N65B4D1
Fabricant
IXYS
Brève description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXXH30N65B4D1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
31677 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.19767/pcs
Notre prix
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IXXH30N65B4D1 Description détaillée

Numéro d'article IXXH30N65B4D1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 146A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max 230W
Échange d'énergie 1.04mJ (on), 730µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 52nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 20ns/150ns
Condition de test 400V, 30A, 15 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 65ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247AD
Poids -
Pays d'origine -

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