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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTU02N50D
IXTU02N50D

IXTU02N50D - IXYS

品番
IXTU02N50D
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTU02N50D PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXTU02N50D.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
20545 pcs
参考価格
USD 1.3244/pcs
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IXTU02N50D 詳細な説明

品番 IXTU02N50D
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 200mA (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 25µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 120pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力（最大） 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 30 Ohm @ 50mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

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