| 品番 | IXTU02N50D |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 25µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 120pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Depletion Mode |
| 消費電力（最大） | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | 詳細 |
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IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | 詳細 |
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IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | 詳細 |
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IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | 詳細 |
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IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | 詳細 |
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IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | 詳細 |
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IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | 詳細 |
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IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | 詳細 |
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IXTU12N06T | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 | 詳細 |
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IXTU1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 | 詳細 |
