IXTU02N50D detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IXTU02N50D |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
200mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 25µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
120pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
Depletion Mode |
Verlustleistung (Max) |
1.1W (Ta), 25W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
30 Ohm @ 50mA, 0V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-251 |
Paket / Fall |
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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